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晶电谢明勋:GaN功率器件实现LED应用无限可能

   2015-06-24 中国LED在线2980
核心提示: 据晶元光电测试数据表明,一般si MOSFET转换的效率在87%,而更换 GaN 功率元器件可实现95%。但GaN材料一直被用在LED蓝光衬底材料,却忽视了其最原始半导体材料的应用。

“晶元光电一直以来有一个信念,就是实现LED无限可能。” 晶元光电股份有限公司副总经理谢明勋在6月11日由LEDinside、中国LED网及广州国际照明展主办的LEDforum 2015中国国际LED市场趋势高峰论坛上说道。

据晶元光电测试数据表明,一般si MOSFET转换的效率在87%,而更换 GaN 功率元器件可实现95%。但GaN材料一直被用在LED蓝光衬底材料,却忽视了其最原始半导体材料的应用。

而据美国能源局数据显示,全球能源除了天然气、煤炭和核能以外占居11.1%的风电、太阳能等能源,在使用si功率器件实现能源转换时,损失率高达10%,可见GaN材料的应用不应仅限于此。

晶元光电研发中心副总经理谢民勋先生表示,4H-SiC第一代被商业化的晶体管通过大尺寸,高成本来维持大电流的流通,而如金GaN高压晶体管可以实现高压、大电流,响应速度快以及更低成本。

从传统的灯泡到今天的LED,照明经历着传统照明、直流驱动LED照明到AC LED照明。AC LED或将是LED照明的最终最理想的方式,而目前市场最为关注的就是高压LED。

作为高压LED最重要的就是驱动元件,而GaN功率器件的出现解决了这个问题。据谢明勋先生表示,GaN功率器件是集电感电容的体积小、耐温为一体的产品,实现LED照明产品电路简单化。

晶元光电作为领先者,更是采用协同开发模式推出基于GaN高压晶体管的DOB技术,将电源驱动器直接封装在印刷电路板上,缩小光源尺寸,大幅降低传统灯具厂进入LED照明的门槛。以蓝光材料驱动蓝光LED,让LED应用无限可能的理想照进现实。(文/LEDinside Skavy)

 
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